DC-3GHz прекращение микроволновый резистор эквивалент нагрузки зп 150N50F 150 Вт 50 Ом

G150N50W4E-это высококачественный алюминий нитрида (AlN) с фланцевым креплением, предназначенный для конкурентоспособной стоимости альтернативой оксиду бериллия.

Окончание хорошо подходит для всех диапазонов частоты сотовой связи, таких как: AMPS, GSM, DCS, PCS, PHS и UMTS.

Высокая мощность обработки делает деталь идеальной для прерывания циркуляторов и для использования в

Мощность combiners. Окончание также соответствует RoHS!

По ограничению на использование опасных материалов в производстве, отвечающих требованиям

150 Ватт

DC-3,0 ГГц

AlN Керамика

Ненихромовый резистивный элемент

Низкая V образный вырез SWR

100% тестирование

Резистивный элемент: толстая пленка

Материал: AlN Керамика

Монтажный фланец: никелированная медь

Рабочая температура: от-50 до + 150 °C (см. Таблицу оценки)

Допуск: ±0. 010 ”, если не указано иное. Предназначено для удовлетворения более подходящих частей MIL-E-5400. Все размеры указаны в сантиметрах

Значение сопротивления: 50 Ом, ± 2%

Мощность: 150 Ватт

Частотный диапазон: DC-3,0 ГГц

Обратная потеря: 25 дБ DC-2,0 ГГц 20 дБ DC-3,0 ГГц

Спецификация основана на правильно установленном блоке с помощью предложенных инструкции по монтажу и номинального сопротивления 50 Ом. Спецификации могут быть изменены.